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MOSFETs 晶体管阵列 / DMGD7N45SSD-13
- 价格 起订量
- ￥ 12.67703 1+
- ￥ 11.95946 10+
- ￥ 11.28251 100+
- ￥ 10.64388 500+
- ￥ 10.04139 1000+
- 型号： DMGD7N45SSD-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 629
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.67703
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：500mA Ta
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.64W
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4 Ω @ 400mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：256pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6.9nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：450V
- 连续放电电流(ID)：500mA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：4Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：2.2A
- DS 击穿电压-最小值：450V
- 雪崩能量等级（Eas）：56 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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