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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IRF8513PBF
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- 型号： IRF8513PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 238
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：8-SO
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A 11A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2008
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 电阻：15.5MOhm
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：2.4W
- 基本部件号：IRF8513PBF
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：2.4W
- 功率 - 最大：1.5W 2.4W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：15.5mOhm @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：766pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.6nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 连续放电电流(ID)：8A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 输入电容：766pF
- 恢复时间：23 ns
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：22.2mOhm
- 最大rds：15.5 mΩ
- 栅源电压：1.8 V
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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