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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMC7200
- 价格 起订量
- ￥ 6.93345 1+
- ￥ 6.54099 10+
- ￥ 6.17075 100+
- ￥ 5.82146 500+
- ￥ 5.49194 1000+
- 型号： FDMC7200
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET iFET - Smart Harvest
- 库存地点： 内地
- 库存： 2434
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.93345
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 质量：186mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：38 ns
- Number of Elements：2
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A 8A
- 系列：PowerTrench®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- 最大功率耗散：900mW
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：排水源头
- 接通延迟时间：13 ns
- 功率 - 最大：700mW 900mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：23.5m Ω @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：660pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 反馈上限-最大值 (Crss)：30 pF
- 宽度：3mm
- 长度：3mm
- 高度：800μm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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