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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / NTHD2102PT1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NTHD2102PT1
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 5500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 电压 - 额定直流：-8V
- 最大功率耗散：1.1W
- 终端形式：C 弯管
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：-3.4A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：NTHD2102P
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.1W
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：58m Ω @ 3.4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：715pF @ 6.4V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 2.5V
- 上升时间：20ns
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：3.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-8V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：4.6A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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