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MOSFETs 晶体管阵列 / PMGD8000LN,115
- 价格 起订量
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- 型号： PMGD8000LN,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：125mA
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：TrenchMOS™
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- HTS代码：8541.21.00.95
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率 - 最大：200mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8 Ω @ 10mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：18.5pF @ 5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.35nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.125A
- 漏极-源极导通最大电阻：8Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.2W
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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