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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / STS4DNF60
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： STS4DNF60
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N Ch 60V 0.070 Ohm 4A
- 库存地点： 内地
- 库存： 10001
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：17 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低阈值
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：STS4D
- 引脚数量：8
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90m Ω @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：315pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 上升时间：18ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.09Ohm
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：16A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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