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单MOSFET晶体管 / GAN190-650FBEZ
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： GAN190-650FBEZ
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DFN5060-5
- 描述： MOSFET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：DFN5060-5
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：125 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：7 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：2.8 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：190 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：11.5 A
- 技术：GaN
- 通道数量：1 Channel
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