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单MOSFET晶体管 / RS6N120BHTB1
- 价格 起订量
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- 型号： RS6N120BHTB1
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： HSOP-8
- 描述： NCH 80V 135A, HSOP8, POWER MOSFE
- 库存地点： 内地
- 库存： 1407
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：HSOP-8
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：80 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：104 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：53 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：3.3 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：135 A
- 技术：Si
- 通道数量：1 Channel
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