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单MOSFET晶体管 / IRFS59N10DPBF

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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IRFS59N10DPBF
  • 厂商: International Rectifier
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 描述: SMPS HEXFET POWER MOSFET
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
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付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商器件包装:D2PAK
  • Package:Bulk
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:59A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • 厂商:International Rectifier
  • Power Dissipation (Max):3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Product Status:活跃
  • 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 系列:HEXFET®
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:25mOhm @ 35.4A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2450 pF @ 25 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:114 nC @ 10 V
  • 漏源电压 (Vdss):100 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 场效应管特性:-