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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / STL36DN6F7
- 价格 起订量
- ￥ 2.54194 1+
- ￥ 2.39805 10+
- ￥ 2.26232 100+
- ￥ 2.13426 500+
- ￥ 2.01345 1000+
- 型号： STL36DN6F7
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT
- 库存地点： 内地
- 库存： 22721
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.54194
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：PowerFLATTM_8256945_DI_typeC
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A Tc
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：12.1 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STL36
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 通道数量：2
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：58W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7.85 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：27m Ω @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：420pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8nC @ 10V
- 连续放电电流(ID)：33A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：36A
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：144A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 场效应管特性：Standard
- 高度：1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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