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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / DMN4026SSD-13
- 价格 起订量
- ￥ 3.92349 1+
- ￥ 3.70141 10+
- ￥ 3.49189 100+
- ￥ 3.29424 500+
- ￥ 3.10777 1000+
- 型号： DMN4026SSD-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.92349
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：8-SO
- 质量：73.992255mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：15.1 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1.8W
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：1.8W
- 接通延迟时间：5.3 ns
- 功率 - 最大：1.3W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24mOhm @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1060pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19.1nC @ 10V
- 上升时间：7.1ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 下降时间（典型值）：4.8 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 输入电容：1.06nF
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：20mOhm
- 最大rds：24 mΩ
- 高度：1.5mm
- 长度：4.95mm
- 宽度：3.95mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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