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MOSFETs 晶体管阵列 / DMG4511SK4-13
- 价格 起订量
- ￥ 6.90796 1+
- ￥ 6.51694 10+
- ￥ 6.14806 100+
- ￥ 5.80005 500+
- ￥ 5.47175 1000+
- 型号： DMG4511SK4-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 描述： MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
- 库存地点： 内地
- 库存： 7500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.90796
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-252-4L
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.3A 5A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：33.2 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1.54W
- 基本部件号：DMG4511
- 通道数量：2
- 功率耗散：4.1W
- 接通延迟时间：5.4 ns
- 功率 - 最大：1.54W
- 场效应管类型：N and P-Channel, Common Drain
- Rds On(Max)@Id,Vgs：35mOhm @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：850pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18.7nC @ 10V
- 上升时间：2.8ns
- 漏源电压 (Vdss)：35V
- 下降时间（典型值）：35.6 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 输入电容：850pF
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：65mOhm
- 最大rds：35 mΩ
- 高度：2.39mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：6.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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