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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2019UTS-13
- 价格 起订量
- ￥ 4.28116 1+
- ￥ 4.03883 10+
- ￥ 3.81021 100+
- ￥ 3.59454 500+
- ￥ 3.39108 1000+
- 型号： DMN2019UTS-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 8500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.28116
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：157.991892mg
- Turn Off Delay Time：562 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：18.5mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：780mW
- 基本部件号：DMN2019
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 接通延迟时间：53 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On(Max)@Id,Vgs：18.5m Ω @ 7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：143pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.8nC @ 4.5V
- 上升时间：78ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：234 ns
- 连续放电电流(ID)：5.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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