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MOSFETs 晶体管阵列 / ECH8690-TL-H
- 价格 起订量
- ￥ 28.98139 1+
- ￥ 27.34094 10+
- ￥ 25.79334 100+
- ￥ 24.33334 500+
- ￥ 22.95598 1000+
- 型号： ECH8690-TL-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A Automotive 8-Pin SOT-28FL T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 69000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 28.98139
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：21 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 表面安装：YES
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.7A 3.5A
- Number of Elements：2
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：1.5W
- 引脚数量：8
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.8W
- 场效应管类型：N and P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：55m Ω @ 2A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：955pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18nC @ 10V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：3.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7A
- 漏源击穿电压：60V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4V Drive
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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