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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDS6900AS
- 价格 起订量
- ￥ 11.22585 1+
- ￥ 10.59042 10+
- ￥ 9.99096 100+
- ￥ 9.42544 500+
- ￥ 8.89192 1000+
- 型号： FDS6900AS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET Dual NCh PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.22585
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：187mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.9A 8.2A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：23 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：27MOhm
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：8.2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 功率 - 最大：900mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：27m Ω @ 6.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：600pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：8.2A
- 阈值电压：1.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9A
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：1.9 V
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：3.99mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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