简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IRF9910TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 6.59105 1+
- ￥ 6.21797 10+
- ￥ 5.86601 100+
- ￥ 5.53397 500+
- ￥ 5.22073 1000+
- 型号： IRF9910TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 33288
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.59105
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A 12A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：13.4MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：10A
- 基本部件号：IRF9910PBF
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9.3m Ω @ 12A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.55V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：900pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11nC @ 4.5V
- 连续放电电流(ID)：10A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：20V
- 雪崩能量等级（Eas）：33 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：2.55 V
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRF9910TRPBF Infineon Technologies- IRF7457TRPBF Infineon Technologies
PSMN010-25YLC,115 NXP USA Inc.
