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MOSFETs 晶体管阵列 / IPG16N10S461ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 12.63826 1+
- ￥ 11.92289 10+
- ￥ 11.24801 100+
- ￥ 10.61133 500+
- ￥ 10.01068 1000+
- 型号： IPG16N10S461ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 96530
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.63826
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：5 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：29W
- 终端形式：FLAT
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：3 ns
- 功率 - 最大：29W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：61m Ω @ 16A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 9μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：490pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7nC @ 10V
- 上升时间：1ns
- 连续放电电流(ID)：16A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：100V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.061Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：64A
- 雪崩能量等级（Eas）：33 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 反馈上限-最大值 (Crss)：20 pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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