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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / QS8J5TR
- 价格 起订量
- ￥ 14.96198 1+
- ￥ 14.11508 10+
- ￥ 13.31611 100+
- ￥ 12.56237 500+
- ￥ 11.85129 1000+
- 型号： QS8J5TR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.96198
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：90 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper (Sn/Cu)
- 最大功率耗散：600mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：8
- 通道数量：2
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：39m Ω @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1100pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 上升时间：40ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：55 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.039Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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