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MOSFETs 晶体管阵列 / NVJD5121NT1G
- 价格 起订量
- ￥ 2.66893 1+
- ￥ 2.51786 10+
- ￥ 2.37534 100+
- ￥ 2.24088 500+
- ￥ 2.11404 1000+
- 型号： NVJD5121NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.66893
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Turn Off Delay Time：34 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：250mW
- 通道数量：2
- 接通延迟时间：22 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.6 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：26pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.9nC @ 4.5V
- 上升时间：34ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 下降时间（典型值）：32 ns
- 连续放电电流(ID)：295mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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