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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDS8978
- 价格 起订量
- ￥ 3.29086 1+
- ￥ 3.10458 10+
- ￥ 2.92885 100+
- ￥ 2.76307 500+
- ￥ 2.60667 1000+
- 型号： FDS8978
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 250000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.29086
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：187mg
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：48 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2001
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：18MOhm
- 最大功率耗散：1.6W
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：1.6W
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：18m Ω @ 7.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1270pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：26nC @ 10V
- 上升时间：37ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：37 ns
- 连续放电电流(ID)：7.5A
- 阈值电压：2.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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