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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMC8030
- 价格 起订量
- ￥ 13.43930 1+
- ￥ 12.67858 10+
- ￥ 11.96093 100+
- ￥ 11.28389 500+
- ￥ 10.64518 1000+
- 型号： FDMC8030
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： Dual N-Channel 40 V 1.9 W 30 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 33-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 7632
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.43930
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：196mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：19 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- 附加功能：雪崩 额定
- 最大功率耗散：800mW
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.9W
- 箱体转运：排水源头
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 12A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1975pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30nC @ 10V
- 上升时间：3ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：12A
- 阈值电压：1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：40V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：50A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 反馈上限-最大值 (Crss)：30 pF
- 高度：800μm
- 长度：3mm
- 宽度：3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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