简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2004DWK-7
- 价格 起订量
- ￥ 3.76720 1+
- ￥ 3.55396 10+
- ￥ 3.35280 100+
- ￥ 3.16301 500+
- ￥ 2.98398 1000+
- 型号： DMN2004DWK-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET Dual N-Channel
- 库存地点： 内地
- 库存： 77787
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.76720
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 质量：6.010099mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13.8 ns
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：550mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：200mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：540mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DMN2004DWK
- 引脚数量：6
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：200mW
- 接通延迟时间：4.1 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：550m Ω @ 540mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：150pF @ 16V
- 连续放电电流(ID)：540mA
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.54A
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.1mm
- 长度：2.2mm
- 宽度：1.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated- DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated
- DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated
- DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated
BSD816SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
