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MOSFETs 晶体管阵列 / BSS138DW-7-F
- 价格 起订量
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- ￥ 2.31083 1000+
- 型号： BSS138DW-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount
- 库存地点： 内地
- 库存： 18000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.91736
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SOT-363
- 质量：6.010099mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200mA
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 电阻：3.5Ohm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：50V
- 最大功率耗散：200mW
- 额定电流：200mA
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：200mW
- 接通延迟时间：20 ns
- 功率 - 最大：200mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.5Ohm @ 220mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：50V
- 连续放电电流(ID)：200mA
- 阈值电压：1.2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：75V
- 输入电容：50pF
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：3.5Ohm
- 最大rds：3.5 Ω
- 栅源电压：1.2 V
- 最小击穿电压：50V
- 高度：1.1mm
- 长度：2.2mm
- 宽度：1.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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