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MOSFETs 晶体管阵列 / EM6M2T2R
- 价格 起订量
- ￥ 0.70592 1+
- ￥ 0.66596 10+
- ￥ 0.62827 100+
- ￥ 0.59271 500+
- ￥ 0.55916 1000+
- 型号： EM6M2T2R
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
- 库存地点： 内地
- 库存： 12800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.70592
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：150mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：*M2
- 引脚数量：6
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率 - 最大：150mW
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1 Ω @ 200mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：25pF @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：200mA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2A
- 漏极-源极导通最大电阻：1.4Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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