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MOSFETs 晶体管阵列 / QS5K2TR
- 价格 起订量
- ￥ 6.17309 1+
- ￥ 5.82367 10+
- ￥ 5.49403 100+
- ￥ 5.18305 500+
- ￥ 4.88967 1000+
- 型号： QS5K2TR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
- 库存地点： 内地
- 库存： 45000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.17309
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：21 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：100MOhm
- 端子表面处理：锡银铜
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：1.25W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：*K2
- 引脚数量：5
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.25W
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Common Source
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100m Ω @ 2A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：175pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.9nC @ 4.5V
- 上升时间：10ns
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：2A
- 阈值电压：1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：8A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：1.5 V
- 高度：850μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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