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单MOSFET晶体管 / SCT3105KRHRC15
- 价格 起订量
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- 型号： SCT3105KRHRC15
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-4
- 描述： 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
- 库存地点： 内地
- 库存： 905
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-4
- 供应商器件包装：TO-247-4L
- Base Product Number：SCT3105
- Channel Mode：Enhancement
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：18V
- Id - Continuous Drain Current：24 A
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- 厂商：Rohm Semiconductor
- Mounting Styles：通孔
- Package：Tube
- Pd - Power Dissipation：134 W
- Power Dissipation (Max)：134W
- Product Status：活跃
- Qg - Gate Charge：51 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：105 mOhms
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1.2 kV
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 4 V, + 22 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5.6 V
- 操作温度：175°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：137mOhm @ 7.6A, 18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 3.81mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：574 pF @ 800 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：51 nC @ 18 V
- 漏源电压 (Vdss)：1200 V
- Vgs（最大值）：+22V, -4V
- 场效应管特性：-
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