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单MOSFET晶体管 / RD3P07BBHTL1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： RD3P07BBHTL1
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： NCH 100V 80A, TO-252, POWER MOSF
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：TO-252
- Base Product Number：RD3P07
- Channel Mode：Enhancement
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A (Ta), 70A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V, 10V
- Id - Continuous Drain Current：80 A
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- 厂商：Rohm Semiconductor
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Pd - Power Dissipation：89 W
- Power Dissipation (Max)：89W (Ta)
- Product Status：活跃
- Qg - Gate Charge：38 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：7.7 mOhms
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- 操作温度：150°C (TJ)
- 系列：-
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.7mOhm @ 70A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2410 pF @ 50 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：38 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
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