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单相BJT晶体管 / ST631K
- 价格 起订量
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- 型号： ST631K
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Lo Vltg NPN Pwr TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 637
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Number of Elements：1
- hFEMin：120
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：12.5W
- 基本部件号：ST631
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：12.5W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：120V
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 100mA 5V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 500mA
- 集电极基极电压(VCBO)：120V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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