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单相BJT晶体管 / BUB941ZT

  • 价格 起订量
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  • 型号: BUB941ZT
  • 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 描述: TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 369
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 引脚数:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:350V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.8V
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:300
  • 操作温度:175°C TJ
  • 包装:Tube
  • JESD-609代码:e3
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
  • 终止次数:2
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn) - annealed
  • 最大功率耗散:150W
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):245
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):30
  • 基本部件号:BUB941
  • 引脚数量:4
  • JESD-30代码:R-PSSO-G2
  • 极性:NPN
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:150W
  • 箱体转运:COLLECTOR
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 晶体管类型:NPN - Darlington
  • 集电极发射器电压(VCEO):350V
  • 最大集电极电流:15A
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:300 @ 5A 10V
  • 最大集极截止电流:100μA
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.8V @ 250mA, 10A
  • 集电极基极电压(VCBO):5V
  • 发射极基极电压 (VEBO):5V
  • 连续集电极电流:15A
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant

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