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单相BJT晶体管 / BC517
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BC517
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 115003
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 质量：200mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：30000
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：通孔
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- 额定电流：1.2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：BC517
- 引脚数量：3
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：625mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30000 @ 20mA 2V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 100μA, 100mA
- 转换频率：200MHz
- 最大击穿电压：30V
- 频率转换：200MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：10V
- 连续集电极电流：1.2A
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：无铅
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