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单相BJT晶体管 / BD159
- 价格 起订量
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- 型号： BD159
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：350V
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e0
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：350V
- 最大功率耗散：20W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：500mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：BD159
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：350V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 50mA 10V
- 最大集极截止电流：100μA ICBO
- 集电极基极电压(VCBO)：375V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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