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单相BJT晶体管 / 2SB817C-1E
- 价格 起订量
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- 型号： 2SB817C-1E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 12A 140V
- 库存地点： 内地
- 库存： 658
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：140V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：120W
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 频率：10MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：2.5W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：140V
- 最大集电极电流：12A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 1A 5V
- 最大集极截止电流：100μA ICBO
- JEDEC-95代码：TO-247
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：2V @ 500mA, 5A
- 转换频率：10MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：160V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 连续集电极电流：12A
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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