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单相BJT晶体管 / BUT11A
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: BUT11A
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
- 库存地点: 内地
- 库存: 48
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:450V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5V
- Number of Elements:1
- hFEMin:10
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tube
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流:450V
- 最大功率耗散:83W
- 额定电流:5A
- 基本部件号:BUT11
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 功率耗散:83W
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):450V
- 最大集电极电流:5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:10 @ 500mA 5V
- 最大集极截止电流:1mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.5V @ 500mA, 2.5A
- 集电极基极电压(VCBO):1kV
- 发射极基极电压 (VEBO):9V
- 高度:9.15mm
- 长度:10.4mm
- 宽度:4.6mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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