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单相BJT晶体管 / KSH31CTM
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： KSH31CTM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： TRANS NPN 100V 3A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 200100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：100V
- 最大功率耗散：1.56W
- 额定电流：3A
- 频率：3MHz
- 基本部件号：KSH31
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.56W
- 增益带宽积：3MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：10 @ 3A 4V
- 最大集极截止电流：50μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.2V @ 375mA, 3A
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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