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单相BJT晶体管 / ST8812FP
- 价格 起订量
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- 型号： ST8812FP
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Number of Elements：1
- hFEMin：45
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：TIN
- 电压 - 额定直流：600V
- 最大功率耗散：36W
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：7A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：ST8812
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：36W
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：3V
- 最大集电极电流：7A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：4.5 @ 5A 5V
- 最大集极截止电流：1mA
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：3V @ 800mA, 4A
- 集电极基极电压(VCBO)：1.15kV
- 发射极基极电压 (VEBO)：15V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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