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单相BJT晶体管 / ESM2012DV
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： ESM2012DV
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： ISOTOP
- 描述： TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 165
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：ISOTOP
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Power Dissipation (Max)：175W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1200
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel (Ni)
- 电压 - 额定直流：120V
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 额定电流：120A
- 基本部件号：ESM2012
- 极性：NPN
- 配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
- 功率耗散：175W
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：150V
- 最大集电极电流：120A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1200 @ 100A 5V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 1A, 100A
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- VCEsat-最大值：2 V
- 最大下降时间 (tf)：300ns
- 宽度：25.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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