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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / FJD3305H1TM
- 价格 起订量
- ￥ 3.33827 1+
- ￥ 3.14931 10+
- ￥ 2.97105 100+
- ￥ 2.80288 500+
- ￥ 2.64423 1000+
- 型号： FJD3305H1TM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 5046
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.33827
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：19
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.1W
- 终端形式：鸥翼
- 频率：4MHz
- 基本部件号：FJD3305
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.1W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：4MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：400V
- 最大集电极电流：4A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：8 @ 2A 5V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 1A, 4A
- 转换频率：4MHz
- 最大击穿电压：400V
- 集电极基极电压(VCBO)：700V
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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