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单相BJT晶体管 / MPSA06T93
- 价格 起订量
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- 型号： MPSA06T93
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 描述： TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：TIN/TIN COPPER
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：80V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：500mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：STA06
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：350mW
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：1μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 10mA, 100mA
- 转换频率：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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