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单相BJT晶体管 / 2N5657
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5657
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32
- 库存地点： 内地
- 库存： 530
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：350V
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：375V
- 最大功率耗散：20W
- 额定电流：500mA
- 基本部件号：2N56
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：10MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：350V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 100mA 10V
- 最大集极截止电流：100μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：10V @ 100mA, 500mA
- 转换频率：10MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：375V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- VCEsat-最大值：10 V
- 集电极-基极电容-最大值：25pF
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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