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单相BJT晶体管 / BD179
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: BD179
- 厂商: Rochester Electronics, LLC
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-225AA, TO-126-3
- 描述: FULL BRIDGE MOSFET DRIVE
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-225AA, TO-126-3
- 表面安装:NO
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max):3A
- Number of Elements:1
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Bulk
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:no
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 端子表面处理:锡铅
- 端子位置:SINGLE
- 峰值回流焊温度(摄氏度):240
- Reach合规守则:unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):30
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-PSFM-T3
- 资历状况:COMMERCIAL
- 配置:SINGLE
- 功率 - 最大:30W
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:15 @ 2V 1A
- 最大集极截止电流:100μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):800mV @ 100mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
- 转换频率:3MHz
- RoHS状态:Non-RoHS Compliant
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