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单相BJT晶体管 / TBC847B,LM

  • 价格 起订量
  • ¥ 0.86652 1+
  • ¥ 0.81748 10+
  • ¥ 0.77120 100+
  • ¥ 0.72755 500+
  • ¥ 0.68637 1000+
  • 型号: TBC847B,LM
  • 厂商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 500000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.86652

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:12 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供应商器件包装:SOT-23
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
  • Current-Collector (Ic) (Max):150mA
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2016
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 最大功率耗散:320mW
  • 功率 - 最大:320mW
  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极发射器电压(VCEO):400mV
  • 最大集电极电流:150mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 2mA 5V
  • 最大集极截止电流:30nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):400mV @ 100mA, 5mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 最大击穿电压:50V
  • 频率转换:100MHz
  • RoHS状态:符合RoHS标准

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