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单相BJT晶体管 / D45H5
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： D45H5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： TRANS PNP 45V 10A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：-45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：-45V
- 最大功率耗散：50W
- 额定电流：-10A
- 基本部件号：D45H5
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：50W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：-45V
- 最大集电极电流：10A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 4A 1V
- 最大集极截止电流：10μA
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 400mA, 8A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45V
- 转换频率：40MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：-5V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- VCEsat-最大值：1 V
- 高度：6.35mm
- 长度：25.4mm
- 宽度：6.35mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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