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单相BJT晶体管 / BC856BW-G
- 价格 起订量
- ¥ 0.93437 1+
- ¥ 0.88148 10+
- ¥ 0.83159 100+
- ¥ 0.78452 500+
- ¥ 0.74011 1000+
- 型号: BC856BW-G
- 厂商: Comchip Technology
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: SC-70, SOT-323
- 描述: Bipolar Transistors - BJT -80V, -.1A
- 库存地点: 内地
- 库存: 2738
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.93437
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SC-70, SOT-323
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:65V
- 操作温度:-65°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2009
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 端子表面处理:TIN
- 最大功率耗散:150mW
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):30
- 配置:Single
- 功率 - 最大:150mW
- 极性/通道类型:PNP
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):650mV
- 最大集电极电流:100mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:220 @ 2.2mA 5V
- 最大集极截止电流:15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):650mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率:100MHz
- 最大击穿电压:65V
- 频率转换:100MHz
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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