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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BUV21G
- 价格 起订量
- ￥ 261.50635 1+
- ￥ 246.70411 10+
- ￥ 232.73972 100+
- ￥ 219.56578 500+
- ￥ 207.13753 1000+
- 型号： BUV21G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-204AE
- 描述： Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
- 库存地点： 内地
- 库存： 36000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 261.50635
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-204AE
- 引脚数：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：200V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：8MHz
- Power Dissipation (Max)：250W
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- 操作温度：-65°C~200°C TJ
- 包装：Tray
- 系列：SWITCHMODE™
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 额定直流：200V
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：PIN/PEG
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：40A
- 频率：8MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：200V
- 最大集电极电流：40A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：20 @ 12A 2V
- 最大集极截止电流：3mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 3A, 25A
- 转换频率：8MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：250V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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