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单相BJT晶体管 / DXT3150-13
- 价格 起订量
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- 型号： DXT3150-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：5A
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DXT3150
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：250 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 200mA, 4A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：25V
- 转换频率：220MHz
- 频率转换：220MHz
- 最大耗散功率(Abs)：1W
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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