图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / 2SB1204T-E
- 价格 起订量
- ¥ 8.09792 1+
- ¥ 7.63955 10+
- ¥ 7.20712 100+
- ¥ 6.79917 500+
- ¥ 6.41431 1000+
- 型号: 2SB1204T-E
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述: TRANS PNP 50V 8A TP
- 库存地点: 内地
- 库存: 88
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 8.09792
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间:2 Weeks
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 表面安装:NO
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- hFEMin:200
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Bulk
- 已出版:2011
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:1W
- Reach合规守则:not_compliant
- 基本部件号:2SB1204
- 引脚数量:3
- 配置:Single
- 功率 - 最大:1W
- 极性/通道类型:PNP
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):-500mV
- 最大集电极电流:8A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流:1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):500mV @ 200mA, 4A
- 频率转换:130MHz
- 集电极基极电压(VCBO):60V
- 发射极基极电压 (VEBO):-6V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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