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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / MJD112T4
- 价格 起订量
- ￥ 6.41209 1+
- ￥ 6.04914 10+
- ￥ 5.70673 100+
- ￥ 5.38371 500+
- ￥ 5.07897 1000+
- 型号： MJD112T4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.41209
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：2A
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：MJD112
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：20W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1000 @ 2A 3V
- 最大集极截止电流：20μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：3V @ 40mA, 4A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
- 频率转换：25MHz
- 最大耗散功率(Abs)：20W
- VCEsat-最大值：3 V
- 环境耗散-最大值：20W
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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