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单相BJT晶体管 / 2N5885G
- 价格 起订量
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- ￥ 24.37148 10+
- ￥ 22.99196 100+
- ￥ 21.69053 500+
- ￥ 20.46277 1000+
- 型号： 2N5885G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-204AA, TO-3
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE
- 库存地点： 内地
- 库存： 70
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 25.83377
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-204AA, TO-3
- 表面安装：NO
- 引脚数：2
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- 操作温度：-65°C~200°C TJ
- 包装：Tray
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：60V
- 最大功率耗散：200W
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：PIN/PEG
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：600mA
- 频率：4MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：2N5885
- 引脚数量：2
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：4MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：60V
- 最大集电极电流：25A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：20 @ 10A 4V
- 最大集极截止电流：2mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：4V @ 6.25A, 25A
- 转换频率：4MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：8.51mm
- 长度：39.37mm
- 宽度：26.67mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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