简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SA2039-H
- 价格 起订量
- ￥ 3.76074 1+
- ￥ 3.54787 10+
- ￥ 3.34705 100+
- ￥ 3.15759 500+
- ￥ 2.97886 1000+
- 型号： 2SA2039-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
- 库存地点： 内地
- 库存： 2763
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.76074
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- hFEMin：200
- 包装：Bulk
- 已出版：2012
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：800mW
- 基本部件号：2SA2039
- 功率 - 最大：800mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：430mV
- 最大集电极电流：5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：430mV @ 100mA, 2A
- 频率转换：360MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
