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单相BJT晶体管 / KSP2222ABU
- 价格 起订量
- ¥ 1.78618 1+
- ¥ 1.68508 10+
- ¥ 1.58970 100+
- ¥ 1.49971 500+
- ¥ 1.41482 1000+
- 型号: KSP2222ABU
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述: Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
- 库存地点: 内地
- 库存: 523
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 1.78618
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数:3
- 质量:179mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- hFEMin:100
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:45V
- Number of Elements:1
- 已出版:2007
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Bulk
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流:40V
- 最大功率耗散:625mW
- 端子位置:BOTTOM
- 额定电流:600mA
- 频率:300MHz
- 基本部件号:KSP2222
- 元素配置:Single
- 功率耗散:625mW
- 增益带宽积:300MHz
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):40V
- 最大集电极电流:600mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 150mA 10V
- 最大集极截止电流:10nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1V @ 50mA, 500mA
- 转换频率:300MHz
- 最大击穿电压:40V
- 集电极基极电压(VCBO):75V
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- 关断时间-最大值(toff):285ns
- 宽度:3.86mm
- 长度:4.58mm
- 高度:4.58mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- 无铅:无铅
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